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2001년 11월호

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포항공대, 차세대 반도체 메모리 F램 소자 개발
차세대 반도체 메모리 개발약 650억회의 반복적인 쓰기·읽기 동작에도 정보가 손실되지 않는 PZT 박막 소자의 치명적 결함인 전기적 피로현상을 완전히 해결한 획기적 성능의 비휘발성 강유전 메모리 소자인 F램 메모리 소자가 국내 연구진에 의해 처음으로 개발됐다...
 

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