NEWS 1999년 11월

서울대 노태원 교수팀,
F램용 새 강유전체 "BLT" 개발 성공

차세대 메모리 반도체로 떠오르고 있는 F램의 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있는 새로운 핵심물질이 국내 연구진에 의해 처음 개발됐다.

서울대학교 자연과학대학 전이금속 산화물연구실 노태원 교수(42, 물리학)팀은 13일 차세대 반도체인 F램에 응용할 수 있는 새로운 강유전체인 「비스무트 란타늄 티타늄 산화물(BLT)」 개발에 성공했다고 발표했다.

영국 과학저널인 「네이처」는 노 교수팀의 신물질 개발과정을 정리한 논문을 10월14일자에 게재했다.

연구팀은 이 신물질이 기존 납아연티타늄(PZT)계열과 실리콘비스무트티타늄(SBT)계열의 소재가 지니고 있던 이른바 피로현상(Fatigue)과 공정온도가 너무 높아 F램 제조에 장시간이 걸리고 제조단가가 치솟는 단점들을 모두 없앤 획기적인 신물질이라고 밝혔다.

비스무트 란타늄 티타늄 산화물은 궁극의 기억소자로 불리는 차세대 반도체인 F램 제조에 사용되는 핵심물질로 기억을 저장하는 기능을 가진 강유전체물질이며 피로현상에 강한 것으로 알려졌다.

F램은 기존 컴퓨터 부품에 사용되는 D램의 대용량 데이터 저장기능과 S램의 고속동작 기능, 전원이 꺼져도 기록된 데이터가 지워지지 않는 플래시 메모리 반도체의 장점을 고루 갖춘 차세대 반도체로 고성능, 저전력 소모를 요구하는 휴대형 PC나 이동통신 단말기, 스마트 카드 등에 이용되고 있으며, 반도체업계에서는 2000년 30억달러, 2005년에는 150억달러 규모의 시장을 형성할 것으로 전망하고 있다.

현재까지 F램은 미국의 램트론을 포함해 일본의 롬, 도시바, 마쓰시타 등 선진 반도체업체간에 치열한 개발경쟁이 벌어지고 있으나 제품용량 확대의 기술적 어려움으로 SBT계열의 물질을 쓴 256kb용량의 제품만이 상용화돼 있을 뿐 메가급용량의 제품으로는 삼성전자가 지난 7월 PZT계열의 물질로 4메가 F램을 개발한 것이 세계 최초다.