NEWS 1999년 12월

현대전자, 2세대 256메가 SD램 상용화

현대전자(대표 김영환)가 세계 처음으로 회로선폭 0.15㎛(1미크론은 100만분의 1m)의 초미세 공정기술을 적용한 166㎒급 2세대 256M 싱크로너스 D램 상용제품<사진>을 개발했다고 밝혔다.

이번에 개발한 2세대 256M 싱크로너스 D램은 1세대 제품에 비해 칩 크기가 40% 정도 작고 웨이퍼 한장당 칩의 개수(Net Die)를 70% 가량 향상시킨 제품으로, 현재 소량생산중인 경쟁사의 1세대 제품에 비해 월등한 가격경쟁력을 가진 것이라고 현대전자측은 설명했다.

이 제품은 상용 D램으로는 처음으로 0.15㎛의 미세공정기술을 적용했으며 동작전원은 3.3V, 최대 동작속도는 166㎒급이다.

삼성전자의 1세대 제품양산에 이어 현대전자가 2세대 상용제품 개발에 성공함에 따라 16MD램부터 시작된 국내 반도체업계의 세계 D램시장 지배력은 더욱 확고해질 전망이다.

이번 현대의 256MD램 2세대 상용제품 개발을 계기로 세계 1위와 2위 업체인 현대와 삼성이 본격적인 256M SD램 양산경쟁을 벌일 경우, 세계 메모리 반도체 시장에 적지 않은 파장이 예상된다.

특히 이 제품은 현대전자 자체 기술로 개발한 이른바 IMC(Inner MPS Cylinder)기술을 적용, 기존 1세대 256MD램 공정 일부를 제외하고 대부분 교체없이 활용할 수 있도록 설계돼 추가적인 설비투자 없이 곧바로 양산에 적용할 수 있다는 것이 현대측 설명이다.

IMC기술은 I자형을 기본으로 한 집적구조에 홀을 형성, 메모리의 구성요소인 셀구조를 개선함으로써 칩 크기를 줄이고 기억용량을 결정하는 전하저장 유효면적을 증대시켜 칩에 대한 신뢰성을 크게 향상시키는 기술이다.

이와 함께 256M SD램 양산에 사용되는 공정기술과 노하우를 현재의 주력제품인 64M와 128M SD램에 적용할 경우 막대한 원가절감 효과를 거둘 수 있다는 점까지 감안하면 2세대 제품 개발로 파생되는 직간접 효과는 엄청날 것으로 전망된다.

현대전자는 내년 1, 4분기부터 이제품을 본격 양산, 총 7000만개로 예상되는 세계 시장의 20%를 점유할 계획이다.

한편 256MD램은 올해부터 시장을 형성, 오는 2002년께 시장규모가 약 240억달러로 성장하면서 현재의 주력 메모리인 64M와 128MD램을 대체할 것으로 예상된다.