NEWS 1999년 11월

삼성전자,
1기가 플래시메모리 세계 첫 개발

와이셔츠 주머니속에 최신 유행음악 32곡을 휴대하면서 들을수 있는 명함 절반 크기 보다 작은 「반도체 칩 카드」가 개발되었다.

삼성전자가 2000년 디지털 시대를 열어갈 대용량 휴대용 저장매체인 1기가 플래시 메모리 반도체를 업계 처음으로 개발에 성공함에 따라 차세대 디지털 저장매체로서의 대용량화 경쟁이 본격 점화될 것으로 보인다.

이번에 개발한 플래시 메모리는 최근 전세계적으로 수요가 증가하고 있는 인터넷 오디오인 MP3 플레이어, 디지털 카메라, 팜(Palm)PC등 에 탑재돼 사용되는 휴대용 정보 기기의 저장매체로 고해상도 사진 560장, CD수준의 고음질 음악 32곡을 저장할 수 있는 차세대 NAND형 플래시 메모리 반도체이다.

이 회사는 회로선폭 0.15㎛(1미크론 : 1백만분의 1) 기술을 적용해 업계 최초로 1기가 플래시 메모리 시제품 개발에 성공함으로서, 메모리 반도체중 가장 성장율이 빠른 플래시 메모리 시장 경쟁에서도 유리한 위치를 확보하게 됐다.

삼성전자는 회로선폭 0.15미크론 플래시 공정기술을 기존의 D램 반도체 공정 기술을 활용하여 6개월이라는 최단 기간에 개발, 기존 제품인 64M, 128M, 256M 플래시 메모리 제품에 적용하여 뛰어난 원가 경쟁력을 확보, 플래시 메모리 시장을 적극 공략한다는 계획이다.

특히, 이 회사는 이번 차세대 기술을 적용하여 2001년 512M 플래시 메모리와 128M 바이트 스마트미디어 카드로 본격 양산할 예정이다. 삼성전자는 NAND형 플래시 반도체 세계시장에서 데이터 저장용 플래시 시장의 40%이상을 점유하고 있으며, 올해 2억불에서 2002년 8억불의 매출로 확대해 21세기 디지탈 시대의 종합 메모리 반도체 메이커로의 위상이 더욱 강화될 전망이다.

□ 개발내용

삼성전자는 1기가 플래시 메모리 제품에 ▲회로선폭 0.15미크론의 최소형 미세가공 기술▲CMP기술 (Chemical Mechanical Polishing, 화학기계연마기술)등 기존의 D램의 미세가공기술을 적용했다. o 또한, 기존 대비 20% 감소된 동작전압 2.7V의 저소비 전력으로 휴대용 디지털 제품에 적합하도록 설계되어 제품 경쟁력을 높였다. 이 제품 개발을 위해 총 200억원의 연구개발비와 핵심 연구인력 100여명을 투입하고 국내외에 50건의 특허를 출원했다.

최근 휴대형 디지털 제품의 잇단 출시로 플래시 메모리의 수요가 폭증하는 상황으로 반도체 업체들의 시장 선점 경쟁이 어느때보다도 치열하게 전개되고 있으며, 일본등 메모리 반도체 업체들은 D램 생산을 플래시 메모리로 전환하고 있다. 
일본의 후지쯔은 2001년부터 반도체 D램의 국내 생산을 중단하고 생산설비를 플래시 메모리 반도체로 전환하고 도시바사는 美샌디스크社와 2000년부터 1기가 플래시 메모리 반도체 공동 개발과 IBM에 인수한 美반도체 D램 공장을 플래시 메모리 생산라인으로 전환할 계획이라고 발표한바 있다.

산요전기도 美 SST와 플래시 메모리의 설계 생산분야의 협력강화를 발표하는 등 플래시 메모리 시장 장악을 둘러싸고 일본 반도체 업체들의 사업 재편 움직임이 강화되고 있다.

 □ 플래시 메모리 시장 전망

플래시 메모리 반도체는 소비전력이 작고, 전원이 꺼져도 기억된 내용이 지워지지 않는 특성을 갖고 있으며, 기존의 NOR(노어)형 시장과 NAND(랜드)형 시장으로 대표되는 저장용 플래시 메모리 시장으로 구분된다.
특히, NAND형 플래시 메모리는 인터넷 상에서 음악을 다운받아 들을 수 있는 MP3 플레이어, 전자우편 및 인터넷 홈페이지 검색 등 다양한 기능을 접목시킨 인터넷 휴대폰, 디지탈 카메라 등 신종 디지털 전자제품에서 급속히 시장이 확대되고 있으며, 99년 약 4억불, 2002년 약 22억불 매년 약 70% 정도의 고속 성장세가 지속될 전망이다.