±¹Á¦Å×Å©³ëÁ¤º¸¿¬±¸¼Ò ±â¼úÀÚ·á ÃâÆǺÎ
ÆÄ¿ö MOSFET,IGBT,Áö´ÉÇü ÆÄ¿ö¸ðµâ(IPM)ÀÇ Çؼ³°ú ÀÀ¿ë
Àü·Â¼ÒÀÚ IGBT,IPM ÀÀ¿ë½Ç¹«
- µ¿¿ª¸ÞÄ«Æ®·Î´Ð½º¿¬±¸¼Ò ±â¼úÁ¤º¸ºÐ¼®ÆÀ ÆíÀú
B5/210P
62,000¿ø
ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º(Àü·Â¿ë ¹ÝµµÃ¼)´Â ¸íÈ®ÇÑ Á¤ÀÇ´Â ¾øÁö¸¸ 1W ÀÌ»óÀÇ Àü·ÂÀ» Á¦¾îÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ´É·ÂÀ» °¡Áø ¹ÝµµÃ¼¸¦ ÀÏÄ´´Ù. ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º´Â ¼öW¿¡¼ GW±Þ±îÁöÀÇ Àü·Âº¯È¯À̳ª Á¦¾î¸¦ ÇÏ´Â ¹ÝµµÃ¼·Î, Á¤·ù ´ÙÀÌ¿Àµå, ¹ÙÀÌÆú·¯ Æ®·£Áö½ºÅÍ, »çÀ̸®½ºÅÍ, GTO, ´ÙÀ̾×, Æ®¶óÀ̾×, ÆÄ¿ö MOS FET, IGBT, IPM(Áö´ÉÇü ÆÄ¿ö¸ðµâ) µîÀÌ ³Î¸® ¾Ë·ÁÁ® ÀÖ´Ù.
ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º´Â ¹ÝµµÃ¼ Áß¿¡¼µµ ¸Å¿ì ¿À·£ ¿ª»ç¸¦ °¡Áö°í ÀÖÀ¸¸ç, ±× ź»ýÀº ¾à 50³â ÀüÀ¸·Î °Å½½·¯ ¿Ã¶ó°£´Ù. À̸¦Å×¸é ¹ÙÀÌÆú·¯ Æ®·£Áö½ºÅÍ ¹ß¸íÀº 1947³â, »çÀ̸®½ºÅÍ´Â 1957³âÀ¸·Î, ´çÃÊ¿¡´Â Àú³»¾Ð, ¼Ò¿ë·®¿¡¼ Ãâ¹ßÇÏ¿´°í, ±×ÈÄ ´«ºÎ½Ã°Ô Áøº¸¸¦ °ÅµìÇÏ¿© °í³»¾Ð, ´ëÀü·ù, °í¼Ó °íÁÖÆÄ, °í±â´ÉÈ·Î ¹ßÀüµÇ¾ú´Ù. 1990³â ÀÌÈÄ ÆÄ¿ö MOS FET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), IPM(Intelligent Power Module) µî, °í¼Ó MOS°è ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º ¹× ±×µéÀÇ ¸ðµâ Á¦Ç°ÀÌ ÃâÇöÇÔÀ¸·Î½á ±× ÀÀ¿ëºÐ¾ß°¡ ´Ü¼û¿¡ È®´ëµÇ¾ú´Ù.
ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ ÀÀ¿ë »ç·Ê¸¦ »ìÆ캸¸é, ¿ì¼± °¡Á¤¿¡¼´Â ¿¡¾îÄÁ, ³ÃÀå°í, ¼¼Å¹±â, û¼Ò±â, Á¶±¤ÀåÄ¡ µîÀÇ ÀιöÅÍ ÀåÄ¡, IH(Induction Heating: À¯µµ°¡¿) Á¶¸®±â¿¡´Â °íÁÖÆÄ ÀιöÅÍ¿ë IGBT°¡ »ç¿ëµÈ´Ù. TV ¼ö»ó±âÀÇ Àü¿øºÎ¿¡´Â MOS FET, ¼ÒÀÚȸ·Î¿¡ »çÀ̸®½ºÅÍ, Ä«¸Þ¶ó Ç÷¡½Ã¿¡´Â IGBT ¶Ç´Â IPMÀÌ ³Î¸® »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. ±×¸®°í ¿äÁò¿¡´Â PDP(ÇöóÁ µð½ºÇ÷¹ÀÌ ÆгÎ)¿¡´Â ¼ö¸¹Àº MOS FET°¡ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù.
±³Åë °ü·ÃºÐ¾ß¿¡¼µµ »ìÆ캸¸é, ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ ÀÀ¿ëÀº ³Ê¹« ¸¹´Ù. ÇÏÀ̺긮µå Ä«(Hybrid Electric Car) ¸ðÅÍÀÇ ÀιöÅÍ¿Í ¹ßÀü±âÀÇ ÄÁ¹öÅÍ Á¦¾î¿ëÀ¸·Î, Á¾·ù¿¡ µû¶ó ¼ö¹é¿¡¼ ¼öõ VA±ÞÀÇ IGBT¿Í IPMÀÌ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. ÀÚµ¿Â÷ ¿£ÁøÀÇ Á¡ÈÀåÄ¡¿¡´Â ¹ÙÀÌÆú·¯ Æ®·£Áö½ºÅͳª IGBT, Á¦¾î¿ë IC¸¦ 1ÆÐÅ°Áö¿¡ ¼ö¿ëÇÑ ÆÄ¿ö IC(¸ôµåÆÄ¿ö)°¡ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. ±× ¿Ü¿¡ ¹ÙÀÌÆú·¯ Æ®·£Áö½ºÅÍ, ÆÄ¿ö MOS FET µîÀ» ¹Ú¸· ±âÆÇ»ó¿¡ Á¶¸³ÇÑ HIC ¹× 1Ä¨ÈµÈ ½º¸¶Æ®ÆÄ¿ö IC µî, ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º°¡ Â÷·® Á¦¾î°èÅë°ú Çìµå·¥ÇÁ, ÆÄ¿ö À©µµ¿ì, ÆÄ¿ö½ÃÆ®, ¹Ì·¯ µî °÷°÷¿¡ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. µµ·Î¿¡´Â ±³Åë½ÅÈ£ ·¥ÇÁÀÇ Á¡µî Á¦¾î¸¦ ºñ·ÔÇÏ¿©, µµ·Î Ç¥½ÃÆÇÀÇ ·¥ÇÁ Á¦¾î¿¡ IGBT, »çÀ̸®½ºÅÍ µîÀÌ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. Ç×°ø°ú öµµ°ü·ÃÀÇ Àüµ¿Â÷¿Í ÀüöÀÇ Á¦¾î¿¡´Â °í³»¾Ð IGBT(HV IGBT) ¸ðµâ, GTO, ±¸µ¿°ú º¸È£ ¹× ÀÚ±âÁø´Üȸ·Î¸¦ ³»ÀåÇÑ HV IPM µîÀÇ MOS°è ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º°¡ ÁÖ·ùÀÌ´Ù.
»ç¹«½Ç°ú °øÀå¿¡µµ µµÃ³¿¡ ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º°¡ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. ¿¹¸¦ µé¸é, ¿¤¸®º£ÀÌÅÍ Á¦¾î¿¡´Â IGBT ¸ðµâÀ̳ª IPMÀÌ ºÒ°¡ÇÇÇÏ´Ù. ÃÊ°íÃþ ºôµù¿¡¼ ºÐ¼Ó 750~900mÀÇ ¿¤¸®º£ÀÌÅÍ Á¦¾î¿¡´Â 1200V, 600A±ÞÀÇ IGBT ¸ðµâÀÌ »ç¿ëµÇ¸ç, ºôµùÀÇ ¿Á»ó¿¡ Á¦¾î½ÇÀ» °®ÃßÁö ¾ÊÀº ±â°è½Ç ¿¡¸®º£ÀÌÅÍ¿¡´Â Á¦¾î¹ÝÀ» ½½¸²À¸·Î ¼³°èÇÒ ¼ö ÀÖ´Â IPMÀÌ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù.
Çü±¤µîÀÇ ÀιöÅÍ¿¡´Â MOS FET, ¾ÈÀü º¸¾È¿ëÀÇ ÈÀç°æº¸±â, ´©ÀüÂ÷´Ü±â, ºñ»óµî, ¹«Á¤ÀüÀåÄ¡(UPS, CVCF ÀιöÅÍ), Àü·ÂÀ» Àý¾àÇϱâ À§ÇÑ ¸ñÀûÀÇ ÆÄ¿ö¼¼À̺ê ȸ·Î, ½ÉÁö¾î ÇÁ¸°ÅÍ CRT ¸ð´ÏÅÍ, FAX, ÀüÈ¿¡µµ IGBT, IPM µîÀÇ ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º°¡ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. °øÀå¿¡¼´Â ÇÁ·Î±×·¡¸Óºí ·ÎÁ÷ ÄÁÆ®·Ñ·¯(PLC), ·Îº¿ °ü·Ã Á¦¾îÀåÄ¡, ÄÄÇ»ÅÍ Á¦¾î °øÀÛ±â°è(CNC), Å©·¹ÀÎ, È£À̽ºÆ®, º§Æ®ÄÁº£À̾î, ÀÚµ¿¹Ý¼Û±â°è µîÀÇ ¸ðÅÍ Á¦¾î¿ë ÀιöÅÍ¿¡´Â IPM°ú IGBT´Â ÇʼöÀûÀÌ´Ù.
ÀÌ ¿Ü¿¡ Á¦·Ã¼Ò³ª Á¦Áö°øÀåÀÇ ¾Ð¿¬±â¿¡´Â ¼öõ kW ÀÌ»óÀÇ ÀιöÅÍ°¡ ÇÊ¿äÇϸç, ¿©±â¿¡´Â ´ë¿ë·® GTO, IGCT, °í³»¾Ð IGBT ¸ðµâÀÌ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. À¯µµ°¡¿°ú °íÁÖÆÄ °¡¿ÀåÄ¡, ´ÙÀ̺»µù, ¿ÍÀ̾µù ÀåÄ¡, Çöó½ºÆ½ ¼ºÇü±â, dz·Â¹ßÀü ¹× ž籤 ¹ßÀüÀÇ ÄÁ¹öÅÍ¿¡´Â 1200V~1700V, 800A±ÞÀÇ IPMÀ̳ª IGBT°¡ »ç¿ëµÇ¸ç, ¸¶ÀÌÅ©·Î°¡½ºÅͺóÀ̳ª ¿¬·áÀüÁö µî¿¡µµ IPM ¶Ç´Â IGBT ¸ðµâ µîÀÇ ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º°¡ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. X¼±ÀåÄ¡, MRI, CT¿Í °°Àº ÀÇ·á±â±âÀÇ Àü¿øºÎ¿¡´Â °í¼Ó IGBT ¸ðµâ µîÀÌ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù. ÀÌ¿Í °°ÀÌ, ÀϺο¡ Áö³ªÁö ¾ÊÀº »ç·Ê¸¦ µé¾úÁö¸¸, °íÀü¾Ð ´ëÀü·ù¸¦ Ãë±ÞÇÏ´Â Àü±âÀÀ¿ë ±â±â·ù´Â ´ëºÎºÐÀÌ ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º°¡ ÇÙ½É ºÎÇ°À¸·Î »ç¿ëµÇ°í ÀÖ´Ù.
Áö±Ý±îÁöÀÇ ÆÄ¿ö¼ÒÀÚ¶ó°í ÇÏ¸é »çÀ̸®½ºÅͳª Æ®¶óÀ̾×, ÆÄ¿ö Æ®·£Áö½ºÅÍ µîÀÌ ÀϹÝÀûÀ̾ú´Ù. ÇöÀçÀÇ ÆÄ¿ö¼ÒÀÚ´Â ÆÄ¿ö MOS FET³ª IGBT, IPMÀ¸·Î·Î º¯ÈµÇ¾î°¡°í ÀÖ´Ù. ´õ±¸³ª »ç¿ëÇϱ⠽¬¿öÁø IPM°ú Æ®·»Ä¡ IPMÀÌ »õ·Î¿î Á¦Ç° ¼³°èÀÇ ÁÖ·ù·Î ÀÚ¸®Àâ¾Æ°¡°í ÀÖ´Ù.
ÀÌ·¸°Ô ¹«±Ã¹«ÁøÇÑ ÆÄ¿ö¼ÒÀÚÀÇ ÀÀ¿ë¿¡ ´ëÇÑ Àü¹®¼´Â Áö±Ý±îÁö °ÅÀÇ Ã£¾Æ º¼ ¼ö ¾ø¾ú´Ù. º»¼¿¡¼´Â ÃÖ±Ù ÆÄ¿ö¼ÒÀÚÀÇ ÁÖ·ùÀÎ IGBT¿Í IPMÀ» Áß½ÉÀ¸·Î ±âº» ¼³°è¹ý°ú ½Ã½ºÅÛ ÀÀ¿ë¼³°è ±â¹ý¿¡ ´ëÇØ ½Ç·Ê¸¦ ÅëÇÏ¿© ½Éµµ±í°Ô Çؼ³ÇÑ´Ù.
±â¼úÀÚ·á ½Åû ¾È³»
ÁÖ¿ä ³»¿ë
¡á ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Á¦Ç° ±â¼ú µ¿Çâ
- Á¤·ù ´ÙÀÌ¿ÀµåÀÇ Á¦Ç° ±â¼ú µ¿Çâ, »çÀ̸®½ºÅÍ, GTO, GCTÀÇ Á¦Ç° ±â¼ú µ¿Çâ, ¹ÙÀÌÆú·¯ Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ Á¦Ç° ±â¼ú µ¿Çâ
- ÆÄ¿ö MOS FETÀÇ Á¦Ç° ±â¼ú µ¿Çâ(ONÀúÇ×ÀÇ Àú°¨, Æı« ³»·®ÀÇ Çâ»ó, ·ÎÁ÷ ±¸µ¿ ´ëÀÀ, ³»Àå ´ÙÀÌ¿ÀµåÀÇ °³¼±)
- IGBTÀÇ Á¦Ç° ±â¼ú µ¿Çâ, ¸ðµâÈÀÇ Á¦Ç° ±â¼ú µ¿Çâ, ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Áö´ÉÈ¿Í IPM(Intelligent Power Module)ÀÇ µ¿Çâ, ¿ÍÀÌµå ¹êµå°¸ ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º¿¡ ´ëÇÑ ±â´ë, [Ä®·³] ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ ±âÈ£
¡á Power MOS FET¿Í IGBTÀÇ ±¸Á¶ Çؼ³
- ÆÄ¿ö MOS FETÀÇ µ¿ÀÛ°ú Ư¡(ÆÄ¿ö MOS FET¶õ, MOS IC¿Í ÆÄ¿ö MOS FETÀÇ Â÷ÀÌ, ÆÄ¿ö MOS FETÀÇ Á¾·ù, nä³Î°ú pä³ÎÀÇ Â÷ÀÌ, DepletionÇü°ú EnhancementÇüÀÇ Â÷ÀÌ, ÆÄ¿ö MOS FETÀÇ ±¸Á¶, ÆÄ¿ö MOS FETÀÇ µ¿ÀÛ, ÆÄ¿ö MOS FETÀÇ »õ·Î¿î È帧, nÇü ¹ÝµµÃ¼¿Í pÇü ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Çü¼º, ÆÄ¿ö MOS FETÀÇ Æ÷¹Ö)
- IGBTÀÇ ±â¼ú µ¿Çâ°ú Ư¡, IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)ÀÇ °³¿ä
- IGBTÀÇ ±¸Á¶(IGBTÀÇ ´ëºÎºÐÀº nä³Î ¼¼·ÎÇü ÀÌÁßÈ®»ê ±¸Á¶ ÇöÀçÀÇ IGBT ±¸Á¶, ONÀü¾Ð Àú°¨ÀÇ ÇÑ°è: Trench ±â¼ú
- IGBTÀÇ µ¿ÀÛ¿ø¸®¿Í »ç¿ë»óÀÇ Æ÷ÀÎÆ®(IGBTÀÇ Turn-on, IGBTÀÇ Turn-off)
- IGBTÀÇ »õ·Î¿î È帧
- ¡à ³í ÆÝÄ¡½º·ç(NPT)Çü IGBT¿Í ÆÝÄ¡½º·ç(PT)Çü IGBT
- ¡à ij¸®¾î ÃàÀûÇü Æ®·»Ä¡ IGBT(CSTBT)
- ¡à ÀüÀÚÁÖÀÔ ÃËÁøÇü Æ®·£Áö½ºÅÍ(IEGT: Injection Enhanced Gate Transistor)
- ¡à ¿ªÀúÁö IGBT
¡á MOS°è Àü·Â¼ÒÀÚÀÇ Æ¯¼ºÀ» º¸´Â ¹æ¹ý
- MOS FETÀÇ ÁÖ¿ä Ư¼º°ú »ç¿ë¹ý(ÆÄ¿ö MOS FETÀÇ ONÀúÇ× Æ¯¼º, °ÔÀÌÆ® ÀÓ°èÄ¡ Àü¾ÐÀÇ Æ¯¼º, ÆÄ¿ö MOS FETÀÇ °¢ ´ÜÀÚ°£ ¿ë·®, ÆÄ¿ö MOS FETÀÇ °ÔÀÌÆ® ÀüÇÏ·® Ư¼º, ÆÄ¿ö MOS FETÀÇ ½ºÀ§Äª Ư¼º
- IGBTÀÇ ÁÖ¿ä Ư¼º°ú »ç¿ë¹ý(IGBTÀÇ Ãâ·Â Ư¼º, IGBTÀÇ °¢ ´ÜÀÚ°£ ¿ë·® ¹× °ÔÀÌÆ® ÀüÇÏ, IGBTÀÇ ½ºÀ§Äª ½Ã°£, ÅÏ¿ÀÇÁ ½ºÀ§Äª SOA(Safe Operating Area), ´Ü¶ô SOA(SCSOA)
- °ÔÀÌÆ® Á¶°ÇÀÇ ÀÇÁ¸¼º(°ÔÀÌÆ® Ç÷¯½º ¹ÙÀ̾¿¡ ÀÇÁ¸Çϴ Ư¼º, °ÔÀÌÆ® ¸¶À̳ʽº ¹ÙÀ̾¿¡ ÀÇÁ¸Çϴ Ư¼º, °ÔÀÌÆ® ÀúÇ׿¡ ÀÇÁ¸Çϴ Ư¼º)
¡á
MOS FET, IGBTÀÇ µå¶óÀ̺ê ȸ·Î ¼³°è¹ý
- °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̺ê ȸ·ÎÀÇ Á¶°Ç, °ÔÀÌÆ® Àü¾ÐÀ» Á¤ÇÏ´Â ¹æ¹ý(°ÔÀÌÆ® Ç÷¯½º Àü¾Ð, °ÔÀÌÆ® ¸¶À̳ʽº Àü¾Ð)
- °ÔÀÌÆ® ÀúÇ×À» Á¤ÇÏ´Â ¹æ¹ý, °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̺ê Àü·ù¸¦ Á¤ÇÏ´Â ¹æ¹ý, µå¶óÀ̺ê ȸ·ÎÀÇ ¹è¼±, Á¦¾îÀü¿øÀÇ ¼³°è »ç·Ê
- MOS FETÀÇ °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̺ê ȸ·ÎÀÇ ¿¹(TTL¿¡ ÀÇÇÑ °ÔÀÌÆ® ±¸µ¿È¸·Î, ÇÏÀ̺긮µå IC¿¡ ÀÇÇÑ µå¶óÀ̺ê ȸ·Î, ÇÏÀ̺긮µå IC(M57918L)ÀÇ »ç¿ë ¿¹, ÇÏÀ̺긮µå IC¸¦ »ç¿ëÇÑ ´ë¿ë·® MOS FET µå¶óÀ̺ê ȸ·ÎÀÇ ¿¹)
- °³º° ºÎÇ°¿¡ ÀÇÇÑ È¸·Î ¿¹, °í¼Ó µ¿ÀÛÀ» À§ÇÑ ±¸µ¿È¸·ÎÀÇ ¿¹, IGBTÀÇ °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̺ê ȸ·ÎÀÇ ¿¹
¡á ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ º¸È£¿Í ´ëÀü·ÂÈ ±â¹ý
- ÁÖȸ·ÎÀÇ ¹è¼± ¹æ¹ý°ú ½º³ª¹ö(Snubber) ȸ·Î ¼³°è(¼Áö Àü¾ÐÀÇ ¹ß»ý ¿øÀÎ, ±â»ý ÀδöÅϽº¸¦ Àú°¨½ÃÅ°´Â ¹æ¹ý, ¼Áö Àü¾ÐÀ» Èí¼öÇÏ´Â ¹æ¹ý, ÃæÀüÇü ½º³ª¹ö ȸ·ÎÀÇ ¼³°è¹ý)
- ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ º¸È£È¸·Î, IGBTÀÇ º´·ÄÁ¢¼Ó µ¿ÀÛ(¼ÒÀÚ Æ¯¼º, Æ÷È Àü¾ÐÀÇ Â÷, ¼ÒÀÚÀÇ ¿Âµµ, ÁÖȸ·ÎÀÇ ¹è¼±, µå¶óÀ̺ê ȸ·Î ¹è¼±)
- Àü·Â¼Õ½ÇÀÇ °è»ê¹ý°ú ¿¼³°è(Àü·Â¼Õ½ÇÀÇ °è»ê¹ý, Á¤»ó ¼Õ½ÇÀÇ °è»ê¹ý, ½ºÀ§Äª ¼Õ½Ç, 1ÆÞ½ºÀÇ Æò±Õ ¼Õ½Ç, »ï»ó ÀιöÅÍ¿¡¼ Àü·Â¼Õ½Ç µîÀÇ °è»ê ¿¹), ¿ ¼³°è ¹æ¹ý, ³Ã°¢ÀåÄ¡ÀÇ ¼±Á¤ ¹æ¹ý
¡á ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º ÀÀ¿ëȸ·ÎÀÇ ±âº»
- ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½ºÀÇ °¢Á¾ Àü·Â º¯È¯ ¹æ½Ä, ±³·ùÀü·Â Á¦¾îȸ·Î, ¸ÅÆ®¸¯½º ÄÁ¹öÅÍ È¸·Î¿Í ±× µ¿ÀÛ
- Àü¾ÐÇü ÀιöÅÍ È¸·ÎÀÇ È¸·Î¹æ½Ä(2·¹º§ ÀιöÅÍÀÇ È¸·Î µ¿ÀÛ, 3·¹º§ ÀιöÅÍÀÇ È¸·Î µ¿ÀÛ, Switched Reluctance ¸ðÅÍ(SR ¸ðÅÍ)ÀÇ Á¦¾îȸ·Î)
- ÃÊÆÛ È¸·Î(DC ÃÊÆÛ)ÀÇ ±âº»Çü, ȸ»ýȸ·ÎÀÇ ±âº»Çü
¡á Çü±¤µî ȸ·Î¿¡ ÆÄ¿ö MOS FETÀÇ ÀÀ¿ë
- Çü±¤µîÀÇ ÀιöÅÍÈ ÀÌÁ¡°ú Ư¼º(ÀιöÅÍÈÀÇ ÀÌÁ¡, ·¥ÇÁ Ư¼º), Çü±¤µîÀÌ Á¡µîÇϱâ±îÁöÀÇ µ¿ÀÛ(Çü±¤µîÀÇ ¿¹¿, ¹æÀü)
- ¾ÈÁ¤±âÀÇ ¿ªÇÒ(ÀÚ±â½Ä ¾ÈÁ¤±âÀÇ ¿ªÇÒ, ÀüÀÚ ¾ÈÁ¤±âÀÇ ¿ªÇÒ)
- 2¼®½Ä ¾ÈÁ¤±âÀÇ ¼³°è(»ç¾ç °áÁ¤, ½ºÀ§Äª ÁÖÆļöÀÇ ¼±Á¤, ÄÚÀÏ LÀÇ ¼±Á¤, CÀÇ ¼±Á¤, ½ºÀ§Äª ¼ÒÀÚÀÇ ¼±Á¤, °ÔÀÌÆ® ÀúÇ× , °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̺ê ȸ·Î, Á¦¾îȸ·Î)
- Çü±¤µî¿ë ÀιöÅÍ Á¦¾î HVIC
¡á Àü·ÂÁ¦¾î¿ë ÀÎÅÚ¸®ÀüÆ® ÆÄ¿ö¼ÒÀÚÀÇ »ç¿ë¹ý
- ÀÎÅÚ¸®ÀüÆ® ÆÄ¿ö ICÀÇ Á¾·ù¿Í ¿ëµµ(Áö´É(Intelligent)ÈµÈ ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ ±¸¼º°ú ºÐ·ù, Àú³»¾Ð, ´ëÀü·ù ICÀÇ ¿ëµµ, ¡à °í³»¾Ð, ÀúÀü·ù ICÀÇ ¿ëµµ, °í³»¾Ð, ´ëÀü·ù ICÀÇ ¿ëµµ
- ÀÎÅÚ¸®ÀüÆ® ÆÄ¿ö IC(Intelligent Power IC)ÀÇ ±¸Á¶(pn Á¢ÇÕ ºÐ¸®(Junction Isolation)ÀÇ ±¸Á¶, Àڱ⠺и®(Self Isolation)ÀÇ ±¸Á¶, À¯Àüü ºÐ¸®(Di-electric Isolation)ÀÇ ±¸Á¶)
- Á¢ÇÕ ºÐ¸®¿Í À¯Àüü ºÐ¸®ÀÇ ºñ±³, ÀÎÅÚ¸®ÀüÆ® ÆÄ¿ö ¸ðµâ(Intelligent Power Module: IPM)ÀÇ ¿ëµµ¿Í ±¸¼º
- IPMÀº ³»ºÎ ÆÄ¿ö ĨÀ¸·Î IGBT¸¦ »ç¿ë, IPMÀ» »ç¿ëÇÑ ÀÀ¿ë Á¦Ç°, IPMÀÇ ³»ºÎ ±¸Á¶¿Í IGBT¿ÍÀÇ Æ¯¼º ºñ±³(IPMÀº IGBTÀÇ ¿ì¼öÇÑ ¼º´ÉÀ» ´õ¿í Çâ»ó, ´Ü¶ô ³»·®ÀÇ Çâ»ó¿¡ ÀÇÇÑ Æı« ¹æÁö)
- IPMÀÇ ³»ºÎ´Â ÇÏÀ̺긮µå ±¸¼º, IPMÀÇ ÀÔÃâ·Â ȸ·Î(IPM ½ÅÈ£ ÀԷºÎÀÇ È¸·Î ±¸¼º, IPM Ãâ·ÂºÎÀÇ È¸·Î ±¸¼º)
- ÀÌ»ó °ËÃâȸ·Î(°úÀü·ù °ËÃâȸ·Î, ¿Âµµ °ËÃâȸ·Î, Á¦¾î Àü¿øÀü¾Ð °ËÃâȸ·Î)
- IPMÀÇ ±â´É°ú °¢Á¾ º¸È£È¸·Î(º¸È£ÀÇ Á¾·ù, °úÀü·ù º¸È£È¸·Î(OC ´ÜÀÚ), ´Ü¶ô º¸È£È¸·Î(SC ´ÜÀÚ), °ú¿ º¸È£È¸·Î(OT ´ÜÀÚ), Á¦¾î Àü¿øÀü¾Ð ÀúÇÏ º¸È£È¸·Î(UV ´ÜÀÚ)
- »ç¿ëÀÇ Æí¸®¼ºÀ» Çâ»ó½ÃŲ HVIC ³»ÀåÀÇ IPM, DIP-IPMÀÇ ±¸¼º°ú ¿ÜÇü
- DIP-IPMÀÇ »ç¿ë ¹æ¹ý(°í¾Ð ·¹º§ ½ÃÇÁÆ® ȸ·ÎÀÇ ¿ªÇÒ, ºÎÆ®½ºÆ®·¦(Bootstrap) ȸ·ÎÀÇ ¿ªÇÒ), Á¦¾î ÀԷ´ÜÀÚÀÇ Á¢¼Ó ¹æ¹ý
¡á IGBT, IPMÀÇ ¹ü¿ë ÀιöÅÍ¿¡ ´ëÇÑ ÀÀ¿ë
- ¹ü¿ë ÀιöÅÍÀÇ °³¿ä, ¹ü¿ë ÀιöÅÍ ÀåÄ¡ÀÇ ±¸¼º
- ÀιöÅÍ¿ë ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Æ¯Â¡°ú ÀÀ¿ë(°¢Á¾ ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Æ¯Â¡°ú Àå´ÜÁ¡, ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Àü·Â¼Õ½Ç°ú ½ºÀ§Äª ¼Óµµ, ÁýÀûÇü ÆÄ¿ö ¸ðµâ)
- ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Á¤°Ý ¼±Á¤¹ý(Àü¾ÐÁ¤°ÝÀÇ ¼±Á¤ »ç·Ê, Àü·ùÁ¤°ÝÀÇ ¼±Á¤ »ç·Ê)
- ¹ü¿ë ÀιöÅÍ È¸·Î¿¡¼ ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ »ç¿ë»ó Æ÷ÀÎÆ®(ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ ±¸µ¿È¸·Î, PWM(Pulse Width Modulation) Á¦¾îÀÇ ¹æ¹ý, µ¿½Ã¿¡ ON »óŸ¦ ¹æÁöÇÏ´Â Dead timeÀÇ ¼³Á¤, ÇÁ¸®ÈÙ ´ÙÀÌ¿Àµå(freewheel diode: FWD)ÀÇ Çʿ伺, º¸È£È¸·ÎÀÇ Á߿伺
- ¹ü¿ë ÀιöÅÍ È¸·Î¿¡ ÀÖ¾î¼ ¿¼³°è ¹æ¹ý(1Ĩ´ç IGBTÀÇ Àü·Â¼Õ½Ç, 1Ĩ´ç ÇÁ¸®ÈÙ ´ÙÀÌ¿ÀµåÀÇ Àü·Â¼Õ½Ç, Ĩ ¿ÂµµÀÇ °è»ê, ³Ã°¢ÀåÄ¡(È÷Æ®½ÌÅ©)ÀÇ ¼±Á¤¹ý)
- IPMÀ» ÀιöÅÍ¿¡ ½ÇÀåÇÑ »ç·Ê(±³·ù ÀÔ·Â Àü¿ø, Ãâ·Âȸ·ÎºÎ)
- IPM Á¦¾îȸ·ÎÀÇ ½ÇÀå°ú ³ëÀÌÁî ´ëÃ¥, IPM Á¦¾î Àü¿ø Àü¾ÐÀÇ °³³ä
¡á ÀιöÅÍ ¿¡¾îÄÁÀÇ IPM ÀÀ¿ë±â¼ú
- ÀιöÅÍ ¿¡¾îÄÁÀÇ Æ¯Â¡°ú ÀÌÁ¡, ·ÎÅ͸® ÄÄÇÁ·¹¼¿Í ½ºÅ©·Ñ ÄÄÇÁ·¹¼ÀÇ Æ¯Â¡
- ÀιöÅÍ ¿¡¾îÄÁÀÇ ½Ã½ºÅÛ ±¸¼º, ¿¡¾îÄÁ ÀιöÅͺÎÀÇ È¸·Î ±¸¼º, ¿¡¾îÄÁÀÇ ÄÁ¹öÅͺΠȸ·ÎÀÇ ±¸¼º, ÆÒ ¸ðÅͺÎÀÇ È¸·Î ±¸¼º
- ÀιöÅÍ ¿¡¾îÄÁ¿ë ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º
¡á ¼¼Å¹±â¿¡ IPMÀ» ÀÀ¿ëÇÑ ½Ã½ºÅÛ ±¸¼º°ú Çؼ³
- ÀιöÅÍ ÀüÀÚµ¿ ¼¼Å¹±âÀÇ ½Ã½ºÅÛ ±¸¼º(ÀιöÅÍ ¼¼Å¹±âÀÇ ±¸µ¿ ¹æ½Ä°ú Ư¡, ÀιöÅÍ ÀüÀÚµ¿ ¼¼Å¹±âÀÇ ±¸¼º°ú Á¦¾îȸ·Î Çؼ³, ÀιöÅͺÎÀÇ È¸·Î ±¸¼º°ú ȸ·Î Çؼ³
- ÀιöÅÍ ÀüÀÚµ¿ ¼¼Å¹±â¿ë ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º
¡á ž籤 ¹ßÀü ½Ã½ºÅÛ¿¡ IPM ÀÀ¿ë±â¼ú
- ž籤 ¹ßÀü ½Ã½ºÅÛÀÇ ±¸¼º°ú µ¿ÀÛ Çؼ³(ž籤 ¹ßÀüÀÇ ¿ø¸®¿Í º¯È¯È¿À², ÆÄ¿ö ÄÁµð¼Å³Ê(Power conditioner)ÀÇ ±â´É)
- À׿© Àü·ÂÀÇ ¸ÅÀüÁ¦µµÀÇ ±¸Á¶
- ÆÄ¿ö ÄÁµð¼Å³ÊÀÇ È¸·Î ±¸¼º°ú IPM Àû¿ë ±â¼ú(ÆÄ¿ö ÄÁµð¼Å³ÊÀÇ È¸·Î ¹æ½Ä, ½ÃÆÇÁßÀÎ ÆÄ¿ö ÄÁµð¼Å³ÊÀÇ È¸·Î ±¸¼º°ú ¼º´É, ÆÄ¿öȸ·Î¸¦ ±¸¼ºÇÑ TrenchÇü IPM Àû¿ë)
±â¼úÀÚ·á ½Åû ¾È³»
°ü·Ã ÀÚ·á ¸ñ·Ï ¹ß°£¿¹Á¤ °ü·Ã ÀÚ·á ±¹Á¦Å×Å©³ëÁ¤º¸¿¬±¸¼Ò ±â¼úÀÚ·á ÃâÆǺÎ